Header banner
Revain logoHome Page
твердотельный накопитель gigabyte 2 тб m.2 gp-asm2ne6200tttd логотип

Твердотельный накопитель GIGABYTE 2 ТБ M.2 GP-ASM2NE6200TTTD Отзыв

5

·

Средне

Revainrating 3.5 out of 5  
Рейтинг 
3.6
Компьютеры, 💻 Компьютерные компоненты, 🧰 Внутренние компоненты компьютера, 💻 Компьютерные компоненты

Посмотреть на ЯM

Медиа

(6)
img 1 attached to Твердотельный накопитель GIGABYTE 2 ТБ M.2 GP-ASM2NE6200TTTD
img 2 attached to Твердотельный накопитель GIGABYTE 2 ТБ M.2 GP-ASM2NE6200TTTD
img 3 attached to Твердотельный накопитель GIGABYTE 2 ТБ M.2 GP-ASM2NE6200TTTD
img 4 attached to Твердотельный накопитель GIGABYTE 2 ТБ M.2 GP-ASM2NE6200TTTD

Описание Твердотельный накопитель GIGABYTE 2 ТБ M.2 GP-ASM2NE6200TTTD

Твердотельный накопитель с двусторонним медным радиатором и поддержкой PCIe Gen 4Форм-фактор (габариты, мм): M.2 2280Интерфейс: PCI-Express 4.0x4, NVMe 1.3Заявленная емкость: 2000 ГбайтСкорость последовательного чтения: до 5000 Мбайт/сСкорость последовательной записи: до 4400 Мбайт/сКомпенсация и выравнивание износа, технология Over-ProvisionПоддержка TRIM и S.M.A.R.TПолноразмерный медный радиаторГарантия: Ограниченная 5-летняяПервый в мире контроллер PCIe 4.0 x4Первый в мире контроллер Phison PS5016-E16 шинного интерфейса PCIe 4.0 x4 (28-нм техпроцесс фотолитографии), обладает достаточной вычислительной мощностью для обработки запросов ECC скоростных микросхем 3D TLC NAND флэш-памяти. Средствами PCIe 4.0-интерфейса контроллер оперирует 8 каналами применительно к 32 МС NAND, а для кеширования данных задействована память DDR4 DRAM. Устройство поддерживает протокол NVMe 1.3, способно выполнять коррекцию ошибок средствами LDPC и RAID ECC, располагает технологиями резервирования отдельных областей для нужд накопителя и выравнивания износа, с целью повышения надежности и долговечности изделия, а также совершенными алгоритмами шифрования AES-256/TCG OPAL 2.0 и Pyrite. Быстрые, высококачественные МС NAND Flash (селективная выборка)TOSHIBA BiCS4 96-слойная 3D TLC (800 Mтранзакций/с)Специально для микросхем флэш-памяти Toshiba BiCS4 NAND была выполнена оптимизация схемотехники и архитектуры, количество слоев увеличено до 96 с целью добиться прироста объема памяти на единицу площади. Пропускная способность 800 МТранзакций/с, которую демонстрирует твердотельный накопитель AORUS NVMe Gen 4, намного превышает быстродействие устройств с шинным интерфейсом PCIe 3.0 x4, и открывает отличные перспективы для применения таких продуктов в составе скоростного хранилища данных нового поколения. Экстремальная производительность дисковой подсистемыОснащенный новым скоростным PCIe 4.0 контроллером твердотельный NVMe-накопитель AORUS NVMe Gen 4 SSD демонстрирует высокую скорость на операция последовательного чтения/записи — до 5000 Мбайт/с и до 4400 Мбайт/с, соответственно (чтение последовательных данных ыполняется на 40% быстрее по сравнению с накопителями PCIe 3.0 SSD). Переходите на новый уровень вычислений, который Вам откроет новая дисковая подсистема, обеспечивая непрерывность игрового процесса и качественный рендеринг в графических пакетах и приложениях для редактирования мультимедийного контента. Полноразмерный медный радиатор для экстремальной производительности SSD-накопителя PCIe 4.0Полноразмерный медный радиатор успешно рассеивает тепло, охлаждая ключевые компоненты, расположенные на фронтальной и тыльной поверхности устройства (контроллер и МС NAND флэш-памяти). Теплопроводность радиатора из чистой меди на 69% выше аналогичной характеристики радиатора из алюминия и его сплавов. Таким образом, для твердотельного накопителя AORUS NVMe Gen4 создан
Hide

Отзывы

Глобальные рейтинги 5
  • 5
    2
  • 4
    1
  • 3
    1
  • 2
    0
  • 1
    1

Тип отзыва