Samsung Internal Solid State Mz V6E1T0Bw Отзыв

Samsung V-NAND и контроллер Samsung Polaris, форм-фактор M.2. Особенности: поддержка TRIM, поддержка SMART, алгоритм автоматической сборки мусора, 256-битный AES для шифрования пользовательских данных, TCG Opal, поддержка спящего режима устройства: 5 мВт (L1.2). Последовательное чтение: до 3200 Мбит/с; Последовательная запись: до 1900 Мбит/с; Произвольное чтение (4 КБ; QD32): до 380 000 IOPS (поток 4); Произвольная запись (4 КБ; QD32): до 360 000 IOPS (поток 4); Произвольное чтение (4 КБ; QD1): до 14 000 IOPS (поток 1); Произвольная запись (4 КБ; QD1): до 50 000 IOPS (поток 1). Надежность (MTBF): 1,5 миллиона часов надежности (MTBF); Рабочая температура: от 0 до 70 градусов C (измеряется температурой SMART - рекомендуется правильный поток воздуха); Удар: 1500 G, продолжительность 0,5 м с, 3 оси. Программное обеспечение: Программное обеспечение Management SW Программное обеспечение Magician для управления твердотельными накопителями.